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ZXMP3F35N8TA

更新时间:2025-05-22 05:30:52
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  • 深圳市炀城实业有限公司

  • ZXMP3F35N8TA

    ZXMP3F35N8TA

  • 5000

  • Diodes Incorporated

  • MOSFET PCH 30V 9.3A 8SO/24+

  • 华为超级供应商，7*24小时技术支持，一站式服务

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ZXMP3F35N8TA 规格参数
  • 制造商
    Diodes Inc.
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    - 30 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    12.3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.012 Ohms
  • 配置
    Dual
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SO-8
  • 封装
    Reel
  • 下降时间
    55.6 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    2.8 W
  • 上升时间
    9.9 ns
  • 工厂包装数量
    3000
  • 典型关闭延迟时间
    103 ns
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广东微尔科技有限公司
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