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2N7002KDW

更新时间:2025-05-17 09:44:41

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深圳市金棕榈半导体有限公司
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60000
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深圳市百视威讯电子科技有限公
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深圳市顺泰半导体有限公司
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原装现货库存/价格优势/优质出品/可提供样品/可追溯

科范微半导体（深圳）有限公司
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原装现货库存，价格优势

深圳智睿捷科技有限公司
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认证现货
3000
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深圳奋发微电子有限公司
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深圳市萨科微半导体有限公司
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原厂现货直销欢迎咨询洽谈

深圳市顺泰半导体有限公司
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2N7002KDW 概述

2N7002KDW是一款由多个制造商生产的N沟道增强型MOSFET，常见于ON Semiconductor等厂商的产品目录中。它采用超小型的SOT-363封装，适合高密度表面贴装应用。基础描述为低导通电阻、快速开关特性的晶体管，最大漏源电压为60V，适用于高速开关电路。典型应用场景包括电池供电设备中的负载开关、电源管理中的DC-DC转换器以及信号切换电路。在实际使用时，建议关注栅极驱动电压的选择，确保能够可靠地开启和关闭MOSFET。对于小信号控制场合，可直接用微控制器引脚驱动；而在需要大电流驱动能力的场景，则需添加合适的驱动电路以保证器件正常工作。设计电路时应注意走线布局以减少寄生电感影响，提高整体电路性能。

2N7002KDW 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
340mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
2.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30pF @ 30V
功率 - 最大值
350mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
SOT-363

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