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2SK3566(Q)

更新时间:2025-05-18 05:29:13
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2SK3566(Q) 规格参数
  • 制造商
    Toshiba
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    900 V
  • 闸/源击穿电压
    30 V
  • 漏极连续电流
    2.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    6.4 Ohms
  • 配置
    Single
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TO-220 SIS
  • 封装
    Bulk
  • 下降时间
    80 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    400 W
  • 上升时间
    104 ns
  • 工厂包装数量
    50
  • 典型关闭延迟时间
    82 ns
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