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2N6338G

更新时间:2025-05-01 04:12:57

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2N6338G外观图

大小：135.1KB
厂家：ON Semiconductor
描述： BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ ft:40MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:40 ;RoHS Compliant: Yes
标准包装：100
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：25A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：1.8V @ 2.5A，25A
电流 - 集电极截止（最大）：50µA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：30 @ 10A，2V
功率 - 最大：200W
频率 - 转换：40MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-204AA，TO-3
供应商设备封装：TO-3
包装：托盘

2N6338G 相关信息

2N6338G的技术参数

产品型号:2N6338G类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):100集电极最大持续电流IC(Max)(A):25直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):120最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):40功率耗散PD（W）@25℃:200封装/温度(℃):TO204AA/-65~200价格/1片(套):￥55.00 来源:零八我的爱

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