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2SC5566-TD-E

更新时间:2025-05-11 07:47:15
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2SC5566-TD-E的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

2SC5566-TD-E外观图

  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：225mV @ 100mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：200 @ 500mA，2V
  • 功率 - 最大：1.3W
  • 频率 - 转换：400MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-243AA
  • 供应商设备封装：PCP
  • 包装：带卷 (TR)
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