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IRF530N

更新时间:2024-05-08 17:04:28
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IRF530N 相关信息
  • 特种单片开关电源模块的电路设计
    ...稳压值以防止在输入电压低于28V时开启V3。(4)注意,R14及R15的电阻值还影响到VDZ4的损耗。(5)选择VDZ5的稳压值以限制V3的最大栅-源电压(典型值应为15V)。(6)推荐采用Philips公司生产的IRF530N型N沟道功率MOSFET。其主要参数如下:漏-源极击穿电压U(BR)DS=100V,最大漏极功耗PDM=79W,漏-源通态电阻RDS(ON)=80mΩ,跨导gFS=11S,导通时间tON=36ns,关断时间tOFF=12ns。3 结...
  • 基于单片机控制的电动车锂电池组设计
    ...片机的电动车36 V锂电池组保护电路设计方案。利用高性能、低功耗的ATmega16L 单片机作为检测和控制核心,用由MC34063构成的DC /DC变换控制电路为整个保护电路提供稳压电源,辅以LM60测温、MOS管IRF530N作充放电控制开关,实现对整个电池组和单个电池的状态监控和保护功能,达到延长电池使用寿命的目的。 随着电动自行车的逐渐普及,电动自行车的主要能源---锂电池也成为众人关心的焦点。 ...
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