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BST62,115

更新时间:2025-06-01 07:54:46
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BST62,115外观图

BST62,115

NXP Semiconductors 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR DARL PNP SOT89

  • 封装:TO-243AA
BST62,115 规格参数
  • 特色产品
    NXP - I2C Interface
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    PNP - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    1.3V @ 500µA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    50nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    2000 @ 500mA，10V
  • 功率 - 最大
    1.3W
  • 频率 - 转换
    200MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-243AA
  • 供应商设备封装
    SOT-89-3
  • 包装
    Digi-Reel®
  • 其它名称
    568-6972-6
BST62,115 Datasheet数据手册 PDF下载
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