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CSD86330Q3D

更新时间:2025-05-17 11:40:45
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CSD86330Q3D外观图

CSD86330Q3D

Texas Instruments FET - 阵列

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

  • 封装:8-LDFN
CSD86330Q3D 规格参数
  • 产品培训模块
    NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件
    PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 特色产品
    CSD86330Q3D NexFET? Power BlockCSD86330Q3D Power Block and TPS53219 Buck Controller
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    NexFET™
  • FET 型
    2 N 沟道（半桥）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    20A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    9.6 毫欧 @ 14A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    920pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大
    6W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-LDFN
  • 供应商设备封装
    8-SON（3.3x3.3）
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    296-28216-6
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