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DMN62D0LFB-7

更新时间:2025-05-01 07:29:20
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DMN62D0LFB-7的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

DMN62D0LFB-7外观图

  • 现有数量：9现货
  • 价格：1 : ￥3.58000剪切带（CT）3,000 : ￥0.78884卷带（TR）
  • 系列：-
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 100mA，4V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.45 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：32 pF @ 25 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：470mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：X1-DFN1006-3
  • 封装/外壳：3-UFDFN
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广东微尔科技有限公司
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