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2SK2139 Datasheet

  • 2SK2139

  • MOS Field Effect Transistor

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  • NEC

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DATA SHEET
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK2139
SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The 2SK2139 is N-Channel Power MOS Field Effect Transistor
designed for high voltage switching applications.
PACKAGE DIMENSIONS
(in millimeters)
10.0卤0.3
3.2卤0.2
4.5卤0.2
2.7卤0.2
FEATURES
鈥?/div>
Low On-Resistance
15.0卤0.3
R
DS(on)
= 1.5
鈩?/div>
MAX. (V
GS
= 10 V, I
D
= 2.5 A)
鈥?/div>
Low C
iss
C
iss
= 930 pF TYP
.
鈥?/div>
High Avalanche Capability Ratings
鈥?/div>
Isolate TO-220 (MP-45F) Package
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 藲C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (pulse)*
Total Power Dissipation (T
c
= 25 藲C)
Total Power Dissipation (T
A
= 25 藲C)
Channel Temperature
Storage Temperature
Single Avalanche Current**
Single Avalanche Energy**
*
PW
鈮?/div>
10
碌
s, Duty Cycle
鈮?/div>
1 %
V
DSS
V
GSS
I
D(DC)
I
D(pulse)
P
T1
P
T2
T
ch
T
stg
I
AS
E
AS
600
卤30
卤5.0
卤20
35
2.0
150
5.0
8.3
V
V
A
A
W
W
藲C
3卤0.1
4卤0.2
0.7卤0.1
2.54
1.3卤0.2
1.5卤0.2
2.54
13.5MIN.
12.0卤0.2
2.5卤0.1
0.65卤0.1
1. Gate
2. Drain
3. Source
鈥?5 to +150 藲C
A
mJ
1 2 3
MP-45F (ISOLATED TO-220)
Drain
**
Starting T
ch
= 25 藲C, R
G
= 25
鈩?
V
GS
= 20 V
鈫?/div>
0
Body
Diode
Gate
Source
Document No. TC-2512
(O. D. No. TC-8071)
Date Published January 1995 P
Printed in Japan
漏
1995

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  • 型号
    版本
    描述
    厂商
    下载
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    ETC
    2SK25
  • 2SK208
    英文版
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    Toshiba
    2SK208
  • 2SK209
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    2SK210
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    FM TUNER APPLICATIONS VHF BAND AMPLIFIER APPLICATIONS
    Toshiba
    2SK211
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    Sanyo
    2SK212
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    hitachi
    2sk213
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    HITACHI
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    HITACHI [H...
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    HITACHI [H...
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