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NE856M03-T1-A Datasheet

  • NE856M03-T1-A

  • NPN SILICON TRANSISTOR

  • 182.94KB

  • CEL [California Eastern Labs]

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NE856M03-T1-A 产品属性

  • 3,000

  • 分离式半导体产品

  • RF 晶体管 (BJT)

  • -

  • NPN

  • 12V

  • 4.5GHz

  • 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz

  • -

  • 125mW

  • 80 @ 7mA，3V

  • 100mA

  • 表面贴装

  • SOT-523

  • 3-SuperMiniMold

  • 带卷 (TR)

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