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NTE4151PT1G

更新时间:2025-07-03 20:22:28

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封装/批号
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
1000
ON
SOT523/21+
原装现货不仅销售也回收

深圳市创科洋电子有限公司
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认证现货
30000
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全系列深圳公司大量现货，只做原装

深圳市思佳捷科技有限公司
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原装BOM一站配单

深圳市踊跃科技开发有限公司
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2000
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深圳市金亨利科技有限公司
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SC89 SOT490/2024+
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深圳市蓝军科技有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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只有原装原装，支持BOM配单

深圳市阿尔派电子科技有限公司
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终端可以免费供样，支持BOM配单

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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市思佳捷科技有限公司
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NTE4151PT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 760MA SC-89

封装:SC-89，SOT-490

NTE4151PT1G 概述

NTE4151PT1G是由NTE Electronics生产的P沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻特性，适用于电池供电设备中电源开关和负载管理应用。其最大漏源电压为-20V，适合在便携式电子设备如手机、平板电脑等中使用。由于其小尺寸封装，便于高密度PCB布局设计，在电路设计时需注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET完全开启。在实际应用中，常用于DC-DC转换器的同步整流管或者作为低压侧开关来控制负载通断，使用时要保证良好的散热条件并避免超过最大功耗限制。

NTE4151PT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
760mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
156pF @ 5V
功率 - 最大
313mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-89，SOT-490
供应商设备封装
SC-89-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTE4151PT1GOSTR

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