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NTE4151PT1G

更新时间:2025-07-03 20:22:28

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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严选现货= 现货+好口碑+品质承诺
带有此标记的料号：
1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
2. 供应商承诺此料号是“现货”，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
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原装现货不仅销售也回收

深圳市优尚半导体科技有限公司
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全新原装、公司现货热卖

深圳市创科洋电子有限公司
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全系列深圳公司大量现货，只做原装

深圳市思佳捷科技有限公司
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原装BOM一站配单

深圳市踊跃科技开发有限公司
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2000
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深圳市阿尔派电子科技有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市金华微盛电子有限公司
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公司原装现货可开13%增值税

深圳市芯巴巴科技有限公司
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只做原装，提供一站式BOM配套服务

深圳市硅宇电子有限公司
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助力国营二十余载，一站式BOM配单

昂富（深圳）电子科技有限公司
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深圳市泰佳兴电子有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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原装现货，可开专票，提供账期服务

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深圳市英科美电子有限公司
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深圳市华鸿芯科技有限公司
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一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳宝芯林电子科技有限公司
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深圳市赛思尔科技有限公司
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深圳市伟科芯电子科技有限公司
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原装现货

深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市拓亿芯电子有限公司
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深圳市中元伟业电子商行
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市硅诺电子科技有限公司
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深圳市翊锴电子科技有限公司
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深圳市跃创芯科技有限公司
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NTE4151PT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 760MA SC-89

封装:SC-89，SOT-490

NTE4151PT1G 概述

NTE4151PT1G是由NTE Electronics生产的P沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻特性，适用于电池供电设备中电源开关和负载管理应用。其最大漏源电压为-20V，适合在便携式电子设备如手机、平板电脑等中使用。由于其小尺寸封装，便于高密度PCB布局设计，在电路设计时需注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET完全开启。在实际应用中，常用于DC-DC转换器的同步整流管或者作为低压侧开关来控制负载通断，使用时要保证良好的散热条件并避免超过最大功耗限制。

NTE4151PT1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
760mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
156pF @ 5V
功率 - 最大
313mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-89，SOT-490
供应商设备封装
SC-89-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTE4151PT1GOSTR

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