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EMB9T2R

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    EMB9T2R

    EMB9T2R

    一周前更新
  • 89476

  • ROHM

  • SOT-563/321K+18+19+PB

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EMB9T2R外观图

  • 标准包装:8,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 频率 - 转换:250MHz
  • 功率 - 最大:150mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装:EMT6
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:EMB9T2R-NDEMB9T2RTR
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