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FDMS2672

更新时间:2024-09-23 04:33:39
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  • 大小:508.67KB
  • 厂家:FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
  • 描述:N-Channel UltraFET Trench MOSFET 200V, 20A, 77mohm
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:UltraFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:77 毫欧 @ 3.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:42nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:2315pF @ 100V
  • 功率 - 最大:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-MLP,Power56
  • 供应商设备封装:Power56
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDMS2672TR
FDMS2672 相关信息
  • GaN正式登场 传统功率器件将被替代
    ...理论极限,“这也意味着,GaN器件在优化成本上的空间还很巨大,”Lidow说。 在另一个有关功率器件品质因数(FOM)的比较图中,EPC1010分别同三家公司的的MOSFET(Vishay的Si7462DP、Fairchild的FDMS2672和IR的IRF6641)进行比较的结果也令人惊讶——EPC1010的FOM值较三者中表现最好的IRF6641还要低将近20倍!FOM =RDS(on) x QG (200V),由此可见GaN器件在导通损耗和开关损耗两项关键值上...

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