FDMS86101
2500
Power 56/22+
只做原装欢迎监督
FDMS86101
9000
QFN8/24+
原装现货 可提供BOM配单
FDMS86101
9114
Power 56/26+
原装有现货实单可谈
FDMS86101
997
QFN/20+
原装现货，力挺实单
FDMS86101
4000
ON/22+
SSCP认证只做原装
FDMS86101
141000
-/23+
原厂渠道，现货，支持实单
FDMS86101
12510
Power 56/23+
原厂渠道团队，终端实力商家
FDMS86101
90023
-/23+
原包原装特价，支持实单
FDMS86101
1347
PQFN/16+
原装现货/假一赔十
FDMS86101
68000
SOP8/24+
假一罚十，原装进口现货供应，价格优势。
FDMS86101
95000
MLP5X6/24+
假一罚十，原装进口现货供应，只做原装
FDMS86101
225080
TapeReel/2016+
原装现货长期供应
FDMS86101
1140000
SMD/23+
原装
FDMS86101
9000
Power56/23+
-
FDMS86101
12560
PQFN8L/19+
原装现货可出样品-高价回收库存13632853267
FDMS86101
9200
PQFN8L/23+
只做原装更多数量在途订单
FDMS86101
80580
POWER56/22
22
FDMS86101
5000
TapeReel/23+
优势产品大量库存原装现货
FDMS86101
8620
Power 56/09+
原装，公司现货
FDMS86101
Fairchild
FDMS86101PDF下载
FDMS86101DC
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
FDMS86101DCPDF下载
技术可使现有拓扑结构采用更具挑战性的工作条件——增加开关频率甚至可以改变其他拓扑结构。 为了满足市场这些转换器的需求，英飞凌科技推出了全新的100v mosfet 系列器件。该系列器件以电荷平衡为基础，可大幅度降低导通电阻。通过结合应用低栅电荷、高开关速度、卓越的抗雪崩能力以及改进的体内二极体（body-diode）特性，这些器件适用于多种不同的应用。 飞兆半导体公司 （fairchild semiconductor） 为隔离式dc/dc应用设计人员提供一款新型100v mosfet器件fdms86101，具有低达50% 的rds（on） 和出色的品质因数 （figure of merits, fom），有效提高电源设计的效率。fdms86101是采用5mm x 6mm mlp power56 封装的100v mosfet器件，使用了飞兆半导体先进的powertrench 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。相比栅级电荷相同的现有解决方案，这一专有工艺技术提供了业界最低的rds （on） （8 mω），使fdms86101得以减小导通损耗，而不会受到较高栅级电荷
fairchild semiconductor(飞兆半导体公司) 为隔离式dc-dc应用设计人员提供一款新型100v mosfet器件fdms86101，具有低达50% 的rds(on) 和出色的品质因数 (figure of merits, fom)，有效提高电源设计的效率。fdms86101是采用5mm×6mm mlp power56 封装的100v mosfet器件，使用了飞兆半导体先进的powertrench 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。相比栅级电荷相同的现有解决方案，这一专有工艺技术提供了业界最低的rds (on) (8 mω)，使fdms86101得以减小导通损耗，而不会受到较高栅级电荷的影响。以太网、刀片服务器和电信应用正逐渐从12v转向48v电源，对于优化开关效率的需求变得越来越重要。 powertrench mosfet 内置增强型软体 (soft-body) 二极管，可以减小开关噪声并降低应用的emi 敏感性。这项功能可以节省线路板空间和减少组件数目，而许多替代解决方案却需要加入一个缓冲器网络才能减小开关噪声尖峰。 fdms
近日，飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 为隔离式dc-dc应用设计人员提供一款新型100v mosfet器件fdms86101，具有低达50% 的rds(on) 和出色的品质因数 (figure of merits, fom)，有效提高电源设计的效率。 fdms86101是采用5mm x 6mm mlp power56 封装的100v mosfet器件，使用了飞兆半导体先进的powertrench 工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。相比栅级电荷相同的现有解决方案，这一专有工艺技术提供了业界最低的rds (on) (8 mω)，使fdms86101得以减小导通损耗，而不会受到较高栅级电荷的影响。以太网、刀片服务器和电信应用正逐渐从12v转向48v电源，对于优化开关效率的需求变得越来越重要。 powertrench mosfet 内置增强型软体 (soft-body) 二极管，可以减小开关噪声并降低应用的emi 敏感性。这项功能可以节省线路板空间和减少组件数目，而许多替代解决方案却需要加入一个缓冲器网 络
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