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FF450R12ME3

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  • 制造商:Infineon
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Dual
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.7 V
  • 在25 C的连续集电极电流:600 A
  • 栅极—射极漏泄电流:400 nA
  • 功率耗散:2100 W
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 封装 / 箱体:EconoDUAL-3
  • 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 安装风格:Screw
  • 工厂包装数量:12
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