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2SD315模块在IGBT驱动保护电路中的应用
水平，而目前电力电子器件受电压、电流水平的限制成为电力电子及电气传动行业发展的瓶颈，而 igbt则是其中一例。在现有的igbt技术水平上如何能够使其发挥最大功能，这是主要而又关键的问题，除了合理的软件控制方法外，无疑igbt的驱动保护电路是又一重要环节。目前，igbt的控制保护电路很多，但在集成度，可靠性等方面还不够完善，本文就此在介绍igbt基本性能的基础上介绍一种基于 concept公司的2sd315模块的igbt驱动保护电路。 2、igbt特性及驱动设计本文以eupec公司型号为ff450r17me3的igbt为例进行说明。通过查找其技术手册可得：在其节温为125℃，器件集电极与发射级间压降为 uce=900v,门极驱动电压uge=±15v,ic=450a,限流电阻rg=3.3ω时tdon=100ns,tdoff=1000ns.但在门极电阻rg不同时，其开关速度也是不同的，当rg小时，其与门极电容的时间常数短，使igbt深度饱和导通的时间短，反之则长。而igbt得开关速度直接影响系统效率，但是考虑到di/dt与du/dt对igbt本身的副作用，又不能使限流电阻过小。一般限流电阻的选择可参照以
分析变流器核心器件MOSFET与IGB性能
的并联使用要实现功率器件的并联使用，应满足两个条件： 1、并联使用功率器件的一致性好（要选用同一批次的）； 2、其导通电阻或饱和压降为正温度系数。 mosfet的导通电阻都是正温度系数的，很容易实现并联使用。 igbt则不然，有的igbt饱和压降是负温度系数的，有的igbt饱和压降是正温度系数的。负温度系数饱和压降的igbt并联使用难于均流，所以，不宜并联使用。正温度系数饱和压降的igbt是可以并联使用的，并且能够达到很好的均流效果例如，infineon的ff450r17me3，下图是其饱和压降的温度特性，当集电极电流大于100a时，饱和压降有良好的正温度系数。本人使用两个模块并联，输出总电流400a交流有效值，实测并联模块电流的不均匀度小于5％。三菱的cm400du-24nfh，该器件最大额定电流为400a，这是一个开关速度很快的igbt，其饱和压降比较大，一般应用在工作频率较高的地方，所以，总损耗较大，因此一般峰值电流在200a左右。从下图可以清楚地看到，该igbt集电极电流小于350a时，其饱和压降为负温度系数。来源:qick

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