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FM20L08-60-TGC

更新时间:2024-09-16 16:17:42
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FM20L08-60-TGC 相关资料

  • 其它信息：

    1M位非易失性铁电存储器，结构容量为128K×8位，读 写次数无限制，写数据无延时，分页模式操作速度达33MHz，采用先进的高 可靠性的铁电制造工艺，符合JEDEC标准128K×8SRAM，存取时间60ns，周期 时间150ns；低电压监测驱动外部/LVL信号；低电压环境下存储器写保护；软件可编程模块写保护；相对于有电池后备的SRAM组件：不涉及电池；单片 可靠性；真正表面贴装解决方案； 抗负脉冲能力； 低功耗操作：工作电 压3.3V＋10％，-5％，工作电流25mA；工业标准配置：扩展温度－20～＋85 ℃；遵从RoHS标准

  • 引脚图：

    FM20L08-60-TGC引脚图

FM20L08-60-TGC的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

FM20L08-60-TGC外观图

  • 制造商：Ramtron
  • 产品种类：F-RAM
  • 存储容量：1 MB
  • 组织：128 K x 8
  • 接口：Parallel
  • 工作电源电压：0 V to + 3.3 V
  • 工作温度范围：- 20 C to + 85 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TSOP-32
  • 封装：Tray
  • 访问时间：60 ns
  • 工厂包装数量：234
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