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1200
TSSOP44/22+
专营CYPRESS品牌价优
FM22L16-55-TG
135
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自己原包装现货 实单原装 现货
FM22L16-55-TG
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FM22L16-55-TG
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FM22L16-55-TG
1350
-/202201
一手渠道，全新原装
FM22L16-55-TGTR
12900
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FM22L16-55-TG
9800
21+/TSSOP
只做原装假一赔十正规渠道订货
FM22L16-55-TG
2060
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原装现货假一罚十低价抛货
FM22L16-55-TG
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十年芯程，只做原装
FM22L16-55-TG
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FM22L16-55-TG
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FM22L16-55-TGTR
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深圳上海都有现货，假一罚十深圳交货
FM22L16-55-TG
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FM22L16-55-TG
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原厂渠道团队，终端实力商家
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诚信为本，品质至上，高效服务
FM22L16-55-TG
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FM22L16-55-TG
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FM22L16
4Mbit FRAM Memory
RAMTRON [Ramtron International Corporation]
FM22L16PDF下载
FM22L16-55-TG
4Mbit FRAM Memory
RAMTRON [Ramtron International Corporation]
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ramtron宣布荣获业界知名的《电子设计技术》杂志edn china颁发2007年度创新奖之优秀产品奖。ramtron的fm22l16产品是半导体行业首款4兆位 (mb) 非易失性f-ram存储器，获评委会及数以千计《电子设计技术》的读者选为数据ic与可编程逻辑类别的优秀产品。 ramtron亚太区域总监徐梦岚称：“我们非常高兴获得业界知名的《电子设计技术》杂志颁发的奖项。对于产品得到中国电子设计团体的认同，我们深感荣幸。这款4兆位f-ram实现了技术的突破，将引领ramtron与f-ram进入新的创新应用中。中国设计工程师对fm22l16所作的投票，足以证明该产品的技术成果已获得公认。” 入围产品由《电子设计技术》的专家评审小组选出，该小组由来自中国各大oem厂商、学术机构、高校及《电子设计技术》编辑部的业界专家和专业人士组成。而《电子设计技术》的读者参与投票选出得奖的产品。 关于fm22l16 fm22l16是最高密度的f-ram产品，其容量是现有最大f-ram存储器容量的四倍。fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (tsop) 的3v、4mb并
ramtron international corporation宣布推出半导体业界首个4兆位 (mb) fram存储器，这是目前最高容量的fram产品，其容量是原有最大fram存储器容量的四倍。fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (tsop) 的3v、4mb并行非易失性fram，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。fm22l16与异步静态 ram (sram) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以sram为基础的系统设计。 ramtron 副总裁mike alwais解释道：“4mb fram开辟了全新的技术领域，把ramtron和fram技术引入崭新和新颖的应用中。fm22l16将fram技术引进至主流中，而来目德州仪器公认的工艺节点则提供许多全新的独立和集成式产品机会。新产品的推出将fram定位成理想的非易失性存储解决方案，拥有具大的潜力改变存储器的现状。” 产品特点 fm22l16是256k x 16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，
非易失性铁电存储器(fram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(mb)fram存储器，这是目前最高容量的fram产品，其容量是原有最大fram存储器容量的四倍。fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封(tsop)的3v、4mb并行非易失性fram，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。fm22l16与异步静态ram(sram)在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以sram为基础的系统设计。 产品特点 fm22l16是256k×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (no delay)写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14(100万亿)次写入和10年的数据保存能力。 这种4mb fram是标准异步sram完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时不需电池，并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。fm22l16是
非易失性铁电存储器(fram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(mb)fram存储器，这是目前最高容量的fram产品，其容量是原有最大fram存储器容量的四倍。fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封(tsop)的3v、4mb并行非易失性fram，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。fm22l16与异步静态ram(sram)在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以sram为基础的系统设计。 产品特点 fm22l16是256k×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (no delay)写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14(100万亿)次写入和10年的数据保存能力。 这种4mb fram是标准异步sram完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时不需电池，并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。fm2
ramtron international corporation宣布推出业界首个4兆位 (mb) fram存储器，其容量是原有最大fram存储器容量的四倍。fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (tsop) 的3v、4mb并行非易失性fram，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。fm22l16与异步静态 ram (sram) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以sram为基础的系统设计。 fm22l16是256k x 16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (nodelay™) 写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14 (100万亿)次写入和10年的数据保存能力。 这种4mb fram是标准异步sram完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时毋需电池，并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。fm22l16是真正的表面安装解决方案，与sram不同的是它不在需要电池而且具有很高的耐潮湿、抗冲击和振动特
4M位非易失性铁电存储器,结构容量为256K×16位,可用作/Us,/LB配置为512K×8；100亿次的读写次数,写数据无延时,分页模式操作速度达4OMHz,采用先进的高可靠性的铁电制造工艺； 兼容SRAM,符合JEDEC标准256K×16SRAM,存取时间55ns,周期时间110ns； 低电压YDD监测保护存储器防止误写入； 软件可编程序块写保护；相对于有电池后备的SRAM组件:不涉及电池；单片可靠性；真正表面贴装解决方案；低功率操作：工作电压2.7～3.6V，低电流模式5μA(ZZ引脚)，工作电流18mA；工业标准配置：工业级温度－40～＋85℃；遵从RoHS标准
日前,ramtron international corporation宣布，其4mb f-ram器件fm22l16已获深圳市盛博科技嵌入式计算机有限公司采用，以生产创新的数据存储设备—固态硬盘 (solid-state disk, ssd)。 盛博科技专门研究、开发和生产基于国际标准的嵌入式硬件和软件系统，瞄准工业自动化市场，终端客户遍及轨道运输、电力、医疗设备和运动控制等应用领域。 除了能够在断电后保持数据外，非易失性f-ram存储器也具有几乎无限的读写次数、无延迟写入和极低功耗等优点。配合4mb的数据存储容量，使得ramtron 的fm22l16成为盛博科技工业ssd产品最具吸引力的存储解决方案。 ramtron全球市场推广总监徐梦岚评论道：“基于闪存的ssd的面世，意味着计算机存储子系统架构的改变。f-ram具有的无需后备电池、改进的系统功耗、更高可靠性，以及更紧凑的外形尺寸等特点，解决了一直以来困扰着ssd业界的耐久性问题。” 盛博科技使用标准硬盘 (hdd) 接口和控制器，将闪存的虚拟物理地址和逻辑地址的空间映射像表 (block-to
ramtron international corporation宣布推出半导体业界首个4兆位 (mb) fram存储器，这是目前最高容量的fram产品，其容量是原有最大fram存储器容量的四倍。fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (tsop) 的3v、4mb并行非易失性fram，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。fm22l16与异步静态 ram (sram) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以sram为基础的系统设计。 ramtron 副总裁mike alwais解释道：“4mb fram开辟了全新的技术领域，把ramtron和fram技术引入崭新和新颖的应用中。fm22l16将fram技术引进至主流中，而来目德州仪器公认的工艺节点则提供许多全新的独立和集成式产品机会。新产品的推出将fram定位成理想的非易失性存储解决方案，拥有具大的潜力改变存储器的现状。” 产品特点 fm22l16是256k x 16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns， 周期
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (fram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出半导体业界首个4兆位 (mb) fram存储器，这是目前最高容量的fram产品，其容量是原有最大fram存储器容量的四倍。fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封 (tsop) 的3v、4mb并行非易失性fram，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。fm22l16与异步静态 ram (sram) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以sram为基础的系统设计。 产品特点 fm22l16是256k×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (nodelay?) 写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14 (100万亿)次写入和10年的数据保存能力。 这种4mb fram是标准异步sram完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时毋需电池，并且具有单片芯
日前，世界领先的非易失性铁电存储器(fram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(mb)fram存储器，这是目前最高容量的fram产品，其容量是原有最大fram存储器容量的四倍。fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封(tsop)的3v、4mb并行非易失性fram，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。fm22l16与异步静态ram(sram)在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以sram为基础的系统设计。 ramtron副总裁mike alwais解释道：“4mb fram开辟了全新的技术领域，把ramtron和fram技术引入崭新和新颖的应用中。fm22l16将fram技术引进至主流中，而来目德州仪器公认的工艺节点则提供许多全新的独立和集成式产品机会。新产品的推出将fram定位成理想的非易失性存储解决方案，拥有具大的潜力改变存储器的现状。” 产品特点 fm22l16是256kx16非
非易失性铁电存储器(fram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出半导体业界首个4兆位(mb)fram存储器，这是目前最高容量的fram产品，其容量是原有最大fram存储器容量的四倍。 fm22l16是采用44脚薄型小尺寸塑封(tsop)的3v、4mb并行非易失性fram，具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。fm22l16与异步静态ram(sram)在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以sram为基础的系统设计。 产品特点 fm22l16是256k×16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (no delay)写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14(100万亿)次写入和10年的数据保存能力。 这种4mb fram是标准异步sram完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时不需电池，并且具有单片芯片方式固有的高可靠性。fm22l
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