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HUF75631S3ST

更新时间:2025-05-17 09:48:38

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深圳市广弘电子有限公司
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上海熠富电子科技有限公司
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Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

HUF75631S3ST 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
33A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫欧 @ 33A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
79nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1220pF @ 25V
功率 - 最大
120W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
TO-263（D2Pak）
包装
带卷 (TR)
其它名称
HUF75631S3ST-NDHUF75631S3STFSTR

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