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IRF9956

更新时间:2024-04-26 06:59:10
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IRF9956外观图

  • 标准包装:95
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:190pF @ 15V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SO
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRF9956
IRF9956 相关信息
  • 分布式电源系统中直流母线电压变换器的选择与应用
    ...;#176;C/W,DirectFET器件的半导体结至顶部(外壳)的热阻大约是 1.4°C/W。 IRF6612 或者IRF6618的栅极驱动电压限制在最优的数值7.5V ,与包含两个 30V、使用 SO-8 封装的MOSFET晶体管IRF9956一样。副边的偏置电路是为了把两个直流母线转换器的输出并联起来,而它们的输入电压是不同的,而且在其中一个输入出现短路或者切断的情况下,仍然可以连续地提供输出功率。 功率为150W ...
  • 用于下一代分布电源结构的直流总线变换器和负载点电源模块技术
    ...响,最大化了电路效率。directfet封装技术还提供了非常好的到pcb的热阻,大约为1oc/w,而通过器件的顶部(壳)的热大约为1.4 oc/w。irf6612 或irf6618 门驱 动电压通过采用双30v so-8 封装mosfet IRF9956钳位到7.5v 的最佳值。潜在的220w 直流总线变换器的大小可以是2.05英寸x 0.85英寸,这比业界标准1/8砖减小了大约25%,1/8砖的尺寸测量为2.30英寸x 0.90英寸。当今提供的一些具有完全特色...
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