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MOSFET N-CH 500V 20A TO-220AB
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HEXFET Power MOSFET
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IRFB20N50K, SiHFB20N50K
Power MOSFET
Vishay Intertechnology
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换，通过适当控制使输入电流的波形自动跟随输入电压的波形，使输入阻抗呈纯阻性，即通过控制开关元件，切换滤波电感和滤波电容充放电能量实现功率因数的提高。本设计中采用的是平均电流控制boost功率因数校正电路，pfc控制芯片采用ncp1653。该pfc控制芯片的主要工作原理是同时控制输入电流与输出电压，而电流控制回路的命令是由整流后的线电压所决定，所以可以使转换器的输入阻抗呈现电阻性。 具体系统原理图如图2所示。 2）全桥变换器设计 全桥变换器电路如图3所示。该拓扑中mos管采用irfb20n50，流过的最大电流为20a，最大电压为500v。 3）驱动电路设计 驱动电路如图4所示。pwm输出与驱动芯片之间采用安华高公司生产的高速光藕hcpl一0710，它的速度可达到15m。驱动芯片采用国际整流器公司的ir2181，该芯片具有速度快，驱动电压高等特点，特别适用于驱动mosfet、igbt等器件。 4）主变压器的选择 高频变压器是dc／dc变换器的核心元件，其作用有三点：能量转换、电压变换和输入输出之间的隔离。变压器设计的好坏不仅影响变压器本身的发热和效率，同时也影
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