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IRFB3507

更新时间:2024-04-04 20:24:21
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IRFB3507外观图

  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:97A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8.8 毫欧 @ 58A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:3540pF @ 50V
  • 功率 - 最大:190W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRFB3507
IRFB3507 相关信息
  • IR转换器: IR推出具有超低导通电阻的AC-DC同步整流MOSFET
    ...求的“限制在电气及电子设备中使用有害物质”。 电压(V) IDMax.25°C(A) RDS(on) Typ. (mOhm) RDS(on) Max. (mOhm) QGTyp. (nC) QGDMax. (nC) TO-220 D2Pak TO-262 75 180 7.1 8.8 79 118 IRFB3507/PbF IRFS3507/PbF IRFSL3507/PbF 130 5 6.3 112 168 IRFB3307/PbF IRFS3307 IRFSL3307 97 3.6 4.5 176 265 IRFB3207/PbF IRFS3207 IRFSL3207 100 140 11 14 77 116 IRFB4610/PbF IRFS4...
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