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限值，实现了快速、准确的控制，使功耗降至最低。” 严国富还补充道：“ir1167能提升1%的整体系统效率，减少mosfet温升10度，并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术，能够与各种mosfet栅极兼容，还可以直接连接ir各种30v至200v 的sr mosfet。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的ir mosfet产品共同使用时，ir1167智能整流ic的优势将更加突出，具有这些特性的产品有：irf7853、irfb4110和irfb4227等。这些优化的mosfet能与ir1167 smartrectifier ic融合在一起，成为“整体芯片组解决方案”，进一步提升sr电路的效率和功率密度。 由于新的ic能脱离主控独立运行，所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立，意味着ir1167在低功率的“跳频模式”下运作，使产品符合“待机功率小于1w”以及加州能源委员会的80plus规定。 严国富还指出：“以往在共振半桥拓扑结构中，同步整流在商业上并不可行，因为变化的系统频率和低待机功率要求使整体架构变
实现了快速、准确的控制，使功耗降至最低。” 严国富还补充道：“ir1167能提升1%的整体系统效率，减少mosfet温升10度，并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术，能够与各种mosfet栅极兼容，还可以直接连接ir各种30v至200v的srmosfet。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的irmosfet产品共同使用时，ir1167智能整流ic的优势将更加突出，具有这些特性的产品有：irf7853、irfb4110和irfb4227等。这些优化的mosfet能与ir1167smartrectifieric融合在一起，成为“整体芯片组解决方案”，进一步提升sr电路的效率和功率密度。 由于新的ic能脱离主控独立运行，所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立，意味着ir1167在低功率的“跳频模式”下运作，使产品符合“待机功率小于1w”以及加州能源委员会的80plus规定。 严国富还指出：“以往在共振半桥拓扑结构中，同步整流在商业上并不可行，因为变化的系统频率和低待机功率要求使整
的电压门限值，实现了快速、准确的控制，使功耗降至最低。” 严国富还补充道：“ir1167能提升1%的整体系统效率，减少mosfet温升10度，并使得电路元件数减少为过去的1/4。” ir1167智能整流ic采用ir专有的hvic技术，能够与各种mosfet栅极兼容，还可以直接连接ir各种30v至200v 的sr mosfet。在与具有优化导通电阻及栅极电荷特性的ir mosfet产品共同使用时，ir1167智能整流ic的优势将更加突出，具有这些特性的产品有：irf7853、irfb4110和irfb4227等。这些优化的mosfet能与ir1167 smartrectifier ic融合在一起，成为“整体芯片组解决方案”，进一步提升sr电路的效率和功率密度。 由于新的ic能脱离主控独立运行，所以它适用于多种开关模式变压器和电容输出滤波器应用。与初级部分独立，意味着ir1167在低功率的“跳频模式”下运作，使产品符合“待机功率小于1w”以及加州能源委员会的80plus规定。 严国富还指出：“以往在共振半桥拓扑结构中，同步整流在商业上并不可行，因为变化的系统频率和低待机功率要求使整体架构变得
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