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IRF3315STRRPBF

更新时间:2025-05-19 22:42:52

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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市博洋芯微电子有限公司
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深圳市斌腾达科技有限公司
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蓝界科技（深圳）有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市吉铭贸易有限公司
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安富利（深圳）商贸有限公司
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深圳市世纪成达电子科技有限公
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深圳市卓泰丰科技有限公司
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深圳市芯创恒微电子有限公司
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International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IRF3315STRRPBF 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
21A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
82 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
95nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)

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