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IRF3415LPBF

更新时间:2025-05-17 02:56:24
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IRF3415LPBF外观图

IRF3415LPBF

International Rectifier 分离式半导体产品

MOSFET N-CH 150V 43A TO-262

  • 封装:TO-262-3（直引线）
IRF3415LPBF 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单路
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    Standard
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    42 毫欧 @ 22A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    43A
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    200nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss)
    2400pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    3.8W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3（直引线）
  • 供应商设备封装
    TO-262
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    *IRF3415LPBF
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