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IRF3415STRLPBF

更新时间:2025-05-18 20:17:07

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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

IRF3415STRLPBF 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
43A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
42 毫欧 @ 22A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
200nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2400pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
IRF3415STRLPBF-NDIRF3415STRLPBFTR

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