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IRF7534D1PBF

更新时间:2025-06-14 11:45:40
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IRF7534D1PBF 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    60 ns
  • 典型接通延迟时间
    10 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    10 nC V @ 5
  • 典型输入电容值@Vds
    1066 pF V @ 10
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    3.05mm
  • 封装类型
    Micro8
  • 尺寸
    3.05 x 3.05 x 0.91mm
  • 引脚数目
    8
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    1250 mW
  • 最大栅源电压
    ±12 V
  • 最大漏源电压
    20 V
  • 最大漏源电阻值
    0.055
  • 最大连续漏极电流
    4.3 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    P
  • 配置
    双漏极、单
  • 长度
    3.05mm
  • 高度
    0.91mm
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