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IRF7799L2TRPBF

更新时间:2025-04-14 02:22:20
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IRF7799L2TRPBF外观图

  • 大小：5KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：375A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：38 毫欧 @ 21A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：165nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：6714pF @ 25V
  • 功率 - 最大：4.3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：DirectFET? 等距 L8
  • 供应商设备封装：DIRECTFET L8
  • 包装：带卷 (TR)
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