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IRF9952TRPBF

更新时间:2025-05-18 09:46:22

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International Rectifier FET - 阵列

MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

IRF9952TRPBF 规格参数

标准包装
4,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
HEXFET®
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3.5A，2.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 2.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
190pF @ 15V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SO
包装
带卷 (TR)
其它名称
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