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IXTP120N075T2

更新时间:2025-05-30 07:47:16

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IXTP120N075T2

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 75V 120A TO-220

封装:TO-220-3

IXTP120N075T2 概述

IXTP120N075T2是由IXYS公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用T-MAX封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，适用于高频开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动等应用场合。其最大漏极电流可达120A，栅源电压为±20V，能够承受最高75V的漏源电压。在实际应用中，这款MOSFET适合用于需要高效能和紧凑设计的电力电子系统。例如，在电动车充电器设计中，可以作为主要的开关元件来提高效率并减少热损耗。使用时应注意合理的PCB布局以优化散热性能，并确保栅极驱动电路稳定可靠，避免因驱动不足导致的器件损坏。同时，在选择栅极电阻时要兼顾开关速度与EMI干扰之间的平衡。

IXTP120N075T2 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
TrenchT2™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.7 毫欧 @ 60A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
78nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4740pF @ 25V
功率 - 最大
250W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220
包装
管件

芯知识

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