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K9F1208UOB-PCBO

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    电源电压:3.37V设备VCC=2.7~3.6V;结构:存储器单元阵列:(64M+2048K)×8位,数据存储器:(512+16)×8位;自动编程和擦除:页编程:(512+16)字节,块擦除:(16K+512)字节;页读操作:页尺寸:(512+16)字节,随机存取:15μs(最大值),串行页访问:50ns(最小值);快速写周期时间:编程时间:200μs(典型值),块擦除时间:2ms(典型值);指令/地址/数据复用I/O端口;硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定;可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间;指令存储器操作;封装:48引脚的TSOP封装,63引脚的FBGA封装,48引脚WSOP封装;工作温度:-10~+125℃

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