其它信息：
电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.6V； 结构：存储器单元阵列：(16M＋512K)×16位，数据存储器：(256＋8)×16位；自动编程和擦除：页编程：(256＋8)字，块擦除：(8K＋256)字；页读操作：页大小：(256＋8)字，随机存取：10μs(最大值)，串行访问：50ns(最小值)； 快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)，块擦除时间：2ms(典型值)； 指令/地址/数据复用I/O端口； 硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定； 可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦除周期，10年的数据保留时间； 指令存储器操作； 封装：48引脚的TSOP封装，63引脚的TBGA封装；工作温度：－40～＋125℃
引脚图：
IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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