其它信息:
电源电压:3.31/设备VCC=2.7~3.6V; 结构:存储器单元阵列:(128M+4096K)×8位,数据存储器:(2K+64)×8位,缓存存储器:(2K+64)×8位; 自动编程和擦除:页编程:(2K+64)。字节,块擦除:(128K+4K)字节; 页读操作:页大小:2KB; 随机存取:25μs(最大值),串行页访问:50ns(最小值);快速写周期时间:编程时间:200μs(典型值),块擦除时间:2ms(典型值); 指令/地址/数据复用I/O端口; 硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定; 可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间;指令存储器操作; 上电自动读操作; 封装:52引脚的UL-GA封装
引脚图: