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K9K2G16U0M
电源电压：Vcc＝2.7～3.6V；结构：存储器单元阵列：(128M＋4096K)×16位,数据存储器：(1K＋32)×16位,缓存存储器：(1K＋32)×16位；自动编程和擦除：页编程：(1K＋32)字,块擦除：(64K＋2K)字；页读操作：页大小：1K字,随机存取：25μs(最大值),串行访问：50ns(最小值)；快速写周期时间：编程时间：300μs(典型值),块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦除周期,10年的数据保留时间；指令存储器操作；上电自读操作；封装：48引脚的TSOP封装