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MBR20080CT

更新时间:2025-06-10 12:06:22
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MBR20080CT 规格参数
  • 制造商
    GeneSiC Semiconductor
  • 产品
    Schottky Diodes
  • 峰值反向电压
    80 V
  • 正向连续电流
    200 A
  • 最大浪涌电流
    1500 A
  • 正向电压下降
    0.88 V
  • 最大反向漏泄电流
    1 uA
  • 工作温度范围
    - 40 C to + 175 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    Module
  • 封装
    Bulk
  • 工厂包装数量
    25
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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