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当前位置：维库电子市场网>IC>mbr20100 更新时间:2024-04-28 03:22:29

mbr20100供应商优质现货

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  • 深圳市创德丰电子有限公司

  • MBR20100CT

  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

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    1. 表示供应商具有较高市场知名度，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。

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mbr20100价格行情

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历史最低报价：￥0.3500 历史最高报价：￥750.0000 历史平均报价：￥6.6668

mbr20100中文资料

  • 肖特基二极管原理和应用

    、肖特基产品应用注意 应小于肖特基二极管的正向额定电流if.2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的最高反向击穿电压vrrm.3.应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的最高结温tjmax.4.对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二极管应降额使用。5.对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。6.肖特基二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降vf和反向击穿电压vr、反向漏电流ir都不同。表1是mbr2040、mbr2060、mbr20100、mbr20150、mbr20200的参数比较。例如：用mbr20100代换mbr2040,虽然mbr20100的反向击穿电压比mbr2040高，似乎代换没问题。但是mbr20100的正向压降比mbr2040高，假如应用在电脑机箱电源电路中会造成+5v和+12v电压偏离正常值过多，另外功耗会比原来增大。

  • 分析TOPSwitch GX关电源的设计与应用

    0v以上的冲击电压时，r11同样可使top249关断，避免元器件受到损坏。 由vdz1和vd1构成的漏极钳位电路，能吸收在mosfet关断时由高频变压器初级漏感产生的尖峰电压，保护mosfet不受损坏。vdz1采用钳位电压为200v的p6ke200型瞬态电压抑制器，vd1选用uf4006型超快恢复二极管，其反向耐压为800v.将电容c11和vdz1并联后，能减少钳位损耗。选择全频工作方式时，开关频率设定为132khz.为了减小次级绕组和输出整流管的损耗，现将次级绕组分成两路，每路单独使用一只mbr20100型20a/100v的共阴极肖特基对管（vd2、vd3），然后并联工作。输出滤波电路由c2、c3、l1、c4和c14构成。空载时，top249y能自动降低开关频率，使得在交流230v输入时电源损耗仅为520mw.top249y具有频率抖动特性，这对降低电磁干扰很有帮助。只要合理地选择安全电容c7和emi滤波器（l2、l3、c6）的元件值，就能使开关电源产生的电磁辐射符合cispr22（fccb）/en55022b国际标准。将c7的一端接ui的正极，能把top249y的共模干扰减至最小。需要指出，c

  • MBR20100CTG的技术参数

    产品型号:MBR20100CTG
    反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100
    平均整流器前向电流IO(max)(A):20
    瞬间前向电压VF(max)@IF(V):1.0@20A
    非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150
    瞬间反转电流IR(max)(mA):1
    封装/温度(℃):TO-220/150（max...

  • MBR20100CT的技术参数

    产品型号:MBR20100CT
    反向重复峰值电压VRRM(max)(V):100
    平均整流器前向电流IO(max)(A):20
    瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.95@20A
    非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150
    瞬间反转电流IR(max)(mA):6@125℃
    封装/温度(℃):4TO220AB/...

  • MBR20100

    电流参数：IO=20A/IFSM=150A/IR=0.1mA/IFM=20A电压参数：URWM=100V/UFM=0.84V备 注：肖特基二极管(IO为TL=135℃值)

  • MBR20100近期价格分析

    mbr20100是一款肖特基整流器件，近期的市场需要量一般，参考价为0.88元/pcs~1.3元/pcs. 基本参数 产品类型：肖特基管 结构：平面型 材料硅：（si） 封装形式：to-220 封装材料：金属封装 功率特性：中功率 频率特性：高频 瞬态保护，为保护环 低功耗高效率 高浪涌能力，高电流能力 工作温度：-55℃to +150℃ 额定电流：if=20a 正向压降：vf=0.7v 反向耐压：vr=100v 反向漏电流：1ma mbr20100推荐供应商： 凌云国际股份有限公司 仓库：深圳 原装现货 深圳市艾诺德电子有限公司 仓库：深圳 原装现货 深圳市集胜电子有限公司 仓库：深圳 现货库存

  • 凌云国际——全球知名企业的首选合作伙伴

    nductor颁发的「最佳分销商大奖」和fairchild semiconductor corporation颁发 的「最佳销售表现奖」，奖项无数，备受赞誉。 目前主要代理美国福斯特first semiconductor 和韩国kec,授权分销美国安森美（onsemi）半导体，经营产品为二极管、三极管、mos管、肖特基、快恢复、可控硅，集成电路 mos管。 热卖型号：2n60 5n60 8n60 10n60 12n60 3n80 8n80 50n06 75n075,mbr10100、mbr20100、mbr1045、mbr2045、mbr20200……

  • 高效率70W通用开关电源模块电路图

    v以上的冲击电压时，r11同样可使top249关断，避免元器件受到损坏。 由vdz1和vd1构成的漏极钳位电路，能吸收在mosfet关断时由高频变压器初级漏感产生的尖峰电压，保护mosfet不受损坏。vdz1采用钳位电压为200v的p6ke200型瞬态电压抑制器，vd1选用uf4006型超快恢复二极管，其反向耐压为800v。将电容c11和vdz1并联后，能减少钳位损耗。选择全频工作方式时，开关频率设定为132khz。为了减小次级绕组和输出整流管的损耗，现将次级绕组分成两路，每路单独使用一只mbr20100型20a／100v的共阴极肖特基对管（vd2、vd3），然后并联工作。输出滤波电路由c2、c3、l1、c4和c14构成。空载时，top249y能自动降低开关频率，使得在交流230v输入时电源损耗仅为520mw。top249y具有频率抖动特性，这对降低电磁干扰很有帮助。只要合理地选择安全电容c7和emi滤波器（l2、l3、c6）的元件值，就能使开关电源产生的电磁辐射符合cispr22（fccb）/en55022b国际标准。将c7的一端接ui的正极，能把top249y的共模干扰减至最小。需要指出，c

mbr20100替代型号

MBR1645G MBR1645 MBR16100CTG MBR16100CT MBR160RLG MBR160 MBR1545CTG MBR1545CT MBR1545 MBR1535CT

MBR20100CT MBR20100CTG MBR20150 MBR20200 MBR20200CT MBR20200CTG MBR2030CTLG MBR2030PT MBR2040 MBR2045

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