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MJD44H11

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MJD44H11 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IC=8A/ICP=16A
    电压参数:UCEO=60V/UEBO=5V
    功   率:PC=1.75W
    其他参数:fT=50MHz

    极   性:NPN

MJD44H11PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 大小:46.83KB
  • 厂家:KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]
  • 描述:Complementary Power Transistors
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
  • 最大直流电集电极电流:8 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:60 at 2 A at 1 V
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:85 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252-3 (DPAK)
  • 封装:Tube
  • 集电极连续电流:8 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:20 W
  • 工厂包装数量:75
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