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MMBTH10-4LT1G

更新时间:2025-07-12 06:25:25
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MMBTH10-4LT1G外观图

MMBTH10-4LT1G

ON Semiconductor RF 晶体管 (BJT)

TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT-23

  • 封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MMBTH10-4LT1G 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    RF 晶体管 (BJT)
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    25V
  • 频率 - 转换
    800MHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）
    -
  • 增益
    -
  • 功率 - 最大
    225mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    120 @ 4mA，10V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SOT-23-3（TO-236）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    MMBTH10-4LT1G-NDMMBTH10-4LT1GOSTR
MMBTH10-4LT1G Datasheet数据手册 PDF下载
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