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MSC2712GT1

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MSC2712GT1 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:IC=0.1A
    电压参数:U(BR)CEO=50V/U(BR)CBO=60V/U(BR)EBO=7V
    功   率:PD=0.2W
    其他参数:fT=50MHz
    极   性:NPN
    备  注:MSC2712YT1

  • 技术应用:

    MSC2712GT1的技术参数
    产品型号:MSC2712GT1类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流...

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  • 大小:44.18KB
  • 厂家:ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述:General Purpose Amplifier Transistor
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
  • 最大直流电集电极电流:0.1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 at 2 mA at 6 V
  • 配置:Single
  • 最大工作频率:50 MHz
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SC-59-3
  • 封装:Reel
  • 集电极连续电流:0.1 A
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:0.2 W
  • 工厂包装数量:3000
MSC2712GT1 相关信息
  • MSC2712GT1的技术参数
    产品型号:MSC2712GT1类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):100直流电流增益hFE最小值(dB):200直流电流增益hFE最大值(dB):400最小电流增益带宽乘积fT(MHz):-封装/温度(℃):3SOT323/-55~150价格/1片(套):¥.20 来源:零八我的爱
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