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MTM78E2B0LBF

更新时间:2025-05-19 10:24:12
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MTM78E2B0LBF 规格参数
  • 数据列表
    MTM78E2B0LBF View All Specifications
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    25 毫欧 @ 2A，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1100pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    150mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    WS迷你型8-F1-B
  • 供应商设备封装
    W迷你型8-F1
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    MTM78E2B0LBFTR
芯知识
8.6万
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广东微尔科技有限公司
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