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TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS
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驱动器在很多应用系统中适合于驱动电极。难点在于将普通运算放大器的输出提高到很高的电压。现有的交流高压放大器模块只能将输出放大到大约1200v p-p 以内。本设计实例提出的一种简化交流高压放大器使用了互补的级联nmos和pmos晶体管（图1）。op07运算放大器的输入失调电压低，输入偏置电流小，开环增益高。这些特性使这种运算放大器非常适合用于高增益仪器系统。此外，op07的失调和增益具有极好时间稳定性和温度稳定性。lm356级的交流增益取决于r3、r4、r7和r9，大约为100。 mtp2p50e型高压 p沟道mosfet的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为500v。buk456800b型 高压n沟道mosfet的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为800v。q1～q6都是pmos晶体管，q7～q12均为nmos晶体管。这些场效应管非常适合用于高压级联电路。它们对称地串联连接起来，以提高它们适用于电源系统的总击穿电压。偏压电路由成对独立的偏置电阻器r10～r13和r14～r17组成，从而形成了高压放大器的对称输出。图2示出了峰－峰电压为8v p-p、频率为1
产品型号:MTP2P50EG
源漏极间雪崩电压VBR(V):500
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6000
最大漏极电流Id(on)(A):2
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):TO-220AB/-55~150
描述:小信号P沟道TO-220AB封装场效应管
价格/1片(套):￥13....
2.0A/500V
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