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NDD04N60Z-1G

更新时间:2024-04-24 02:39:16
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NDD04N60Z-1G外观图

  • 标准包装：75
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 欧姆 @ 2A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：640pF @ 25V
  • 功率 - 最大：83W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
  • 供应商设备封装：I-Pak
  • 包装：管件
  • 其它名称：NDD04N60Z-1G-NDNDD04N60Z-1GOS
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