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NE3210S01

更新时间:2024-09-24 07:56:03
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  • 厂家:NEC [NEC]
  • 描述:X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
  • 制造商:CEL
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:pHEMT
  • 频率:12 GHz
  • 增益:13.5 dB
  • 噪声系数:0.35 dB
  • 正向跨导 gFS(最大值/最小值):55 mS
  • 漏源电压 VDS:4 V
  • 闸/源击穿电压:- 3 V
  • 漏极连续电流:70 mA
  • 最大工作温度:+ 125 C
  • 功率耗散:165 mW
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SO-1
  • 闸/源截止电压:2 V
  • 封装:Cut Tape
NE3210S01 相关信息
  • 宽带低噪声放大器ADS仿真与设计
    ...准则设计输出匹配电路以获取最大的放大增益。设计LNA一般选择砷化镓场效应晶体管(GaAsFET),其优点是频率高,噪声低,开关速度快以及低温性能好。本文即是选用NEC公司的砷化镓异质结场效应晶体管NE3210S01。 2 设计方案 2.1 稳定性分析 放大器稳定性的判定条件如下: 式中:△=S11S12-S12S21;K为稳定因子。当同时满足上面3个条件时,放大器绝对稳定。 根据NE3210S01的S参数模型,通过软...
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