当前位置:维库电子市场网>IC>ntf2955t1g 更新时间:2024-04-27 13:57:38

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  • NTF2955T1G的技术参数

    产品型号:ntf2955t1g源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):170最大漏极电流id(on)(a):2.600通道极性:p沟道封装/温度(℃):sot-223/-55 ~150描述:-60 v, -2.6 a,功率mosfet价格/1片(套):¥3.60 来源:xiangxueqin

  • NTF2955T1G的技术参数

    产品型号:NTF2955T1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):60
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):170
    最大漏极电流Id(on)(A):2.600
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150
    描述:-60 V, -2.6 A,功率MOSFET
    价格/1片(套):¥3.60

ntf2955t1g替代型号

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