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NE3210S01-T1B

更新时间:2025-05-19 18:12:07
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NE3210S01-T1B 规格参数
  • 制造商
    CEL
  • 产品种类
    射频GaAs晶体管
  • 技术类型
    pHEMT
  • 频率
    12 GHz
  • 增益
    13.5 dB
  • 噪声系数
    0.35 dB
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    55 mS
  • 漏源电压 VDS
    4 V
  • 闸/源击穿电压
    - 3 V
  • 漏极连续电流
    70 mA
  • 最大工作温度
    + 125 C
  • 功率耗散
    165 mW
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SO-1
  • 封装
    Reel
  • 工厂包装数量
    4000
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