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NE5517DR2G

更新时间:2025-05-16 09:51:34

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NE5517DR2G

ON Semiconductor Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

IC AMP XCONDUCTANCE DUAL 16-SOIC

封装:16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

NE5517DR2G 规格参数

标准包装
1
类别
集成电路 (IC)
家庭
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
系列
-
放大器类型
跨导
电路数
2
输出类型
推挽式
转换速率
50 V/µs
增益带宽积
2MHz
-3db带宽
-
电流 - 输入偏压
400nA
电压 - 输入偏移
400µV
电流 - 电源
2.6mA
电流 - 输出 / 通道
650µA
电压 - 电源，单路/双路(±)
4 V ~ 44 V，±2 V ~ 22 V
工作温度
0°C ~ 70°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
16-SOIC
包装
剪切带 (CT)
其它名称
NE5517DR2GOSCT

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