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PSMN1R1-30PL,127

更新时间:2025-05-17 16:28:55
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PSMN1R1-30PL,127外观图

PSMN1R1-30PL,127

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 30V 120A TO220

  • 封装:TO-220-3
PSMN1R1-30PL,127 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    120A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.3 毫欧 @ 25A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    243nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    14850pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    338W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220AB
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    568-6719
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