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50N06场效应管

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源头工厂
  • 型号/规格:

    NTD50N06

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    TO252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 型号/规格:

    50N06

  • 品牌/商标:

    UTC(台湾友顺)

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    50N06

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    50N06

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    50N06

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQP50N06

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    50N06

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 应用范围:

    放大

  • 品牌/商标:

    各种*厂家

  • 型号/规格:

    50N06

  • 封装形式:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    硅(Si)

  • 封装外形:

    TO-220-3

  • 型号/规格:

    FQP50N06

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌:

    国产

  • 型号:

    10N60 50N06

品牌/商标 国产 型号/规格 10N60 50N06 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 .(V) 夹断电压 .(V) *间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏*电流 .(mA) 耗散功率 .(mW)

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    50N06

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌:

    IR

  • 型号:

    FQP50N06

品牌/商标IR型号/规格FQP50N06种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式增强型封装外形CER-DIP/陶瓷直插开启电压/(V) 夹断电压/(V) 跨导/(μS) *间电容/(pF) 低频噪声系数/(dB) 漏*电流/(mA) 耗散...

    型号:50N06

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 型号/规格:

      50N06 TO-220

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 用途:

      V-FET/V型槽MOS

    • 品牌/商标:

      BGS

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式:

      增强型

      型号:50N06 封装形式:TO-220 长期供应二、三*管,大、中、小功率管,场效应管, 可控硅,肖特基,快恢复,三端稳压,IGBT及各种 型号的IC集成电路。品种繁多,欢迎新老客户来电来函 或网上查询订购!我们将提供的服...

      • 品牌:

        FAIRCHILD/*童

      • 型号:

        FQPF50N06

      品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 FQPF50N06 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(&am...

        品牌:国产 型号:10N60 50N06 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:.(V) 夹断电压:.(V) 低频跨导:.(μS) *间电容:.(pF) 低频噪声系数:.(dB) 漏*电流:.(mA) 耗散功率:....

          品牌:UTC(台湾友顺) 型号:50N06 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 材料:N-FET硅N沟道1,UTC(台湾友顺)品牌优质低压MOS管!支持试样!2,常备现货,*供应不稳定和质量不稳定给您带来的烦恼!3...

            计量单位:只 型号:50N06 *限电压:60(V) 起订量:50 *限电流:50(A) 发货期限:10(天内发货)本公司生产场效应管|(MOSFET)50N06 60V 50A 130W TO-220质量*,价格优惠

            电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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