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MOS场效应管芯片

(共找到“14”条查询结果)
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源头工厂
  • 型号/规格:

    IPB107N20N3G

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO263

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

  • 型号/规格:

    DMP3098L-7

  • 品牌/商标:

    DIODES达尔科技

  • 年份:

    两年内

  • 库存:

    12000

  • 封装:

    SOT23

  • 型号:

    FDS4465

  • 品牌:

    仙童

  • 封装:

    SOP8

  • 年份:

    20+

  • 品牌/商标:

    *

  • 型号/规格:

    6N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    WAFER/裸芯片

  • 型号/规格:

    3N50

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    *

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

    品牌:- 型号:6N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:WAFER/裸芯片 材料:N-FET硅N沟道我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆6N60,质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易...

    • 品牌/商标:

      *

    • 型号/规格:

      IRF540

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 封装外形:

      WAFER/裸芯片

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

      品牌:俄罗斯 型号:4N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 封装外形 WAFER/裸芯片 用途 专为*开关电源而设计的一种*的高压MOSFET 导电方式 耗尽型 沟道类型 N沟道 种类 *缘栅(MOSFET) 型号 4N60 品...

      • 封装外形:

        WAFER/裸芯片

      • 型号/规格:

        IRF630、IRF640

      • 材料:

        N-FET硅N沟道

      • 品牌/商标:

        俄罗斯

      • 沟道类型:

        N沟道

      • 种类:

        *缘栅(MOSFET)

      • 导电方式:

        耗尽型

        品牌:台湾 型号:IRF630 封装形式:直插型 种类:*缘栅 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 夹断电压:200(V) 饱和漏*电流:9(mA) 营销方式:新品我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF630,质量*。我们真诚地希望各生产企业...

          品牌:- 型号:1N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:是专为*开关电源而设计的一种*的高压MOSFET 开启电压:-(V) 夹断电压:-(V) 低频跨导:-(μS) *间电容:-(pF) 低频噪声系数:-...

          • 品牌/商标:

            -

          • 型号/规格:

            IRF730、IRF740

          • 种类:

            绝缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 导电方式:

            耗尽型

          • 封装外形:

            WAFER/裸芯片

          • 材料:

            N-FET硅N沟道

          • 品牌/商标:

            TW

          • 型号/规格:

            IRF640

          • 种类:

            *缘栅(MOSFET)

          • 沟道类型:

            N沟道

          • 导电方式:

            增强型

          • 用途:

            UNI/一般用途

          • 封装外形:

            WAFER/裸芯片

          • 材料:

            N-FET硅N沟道

          • 丹东鑫原电子有限公司

          • 供应商等级: 免费会员
          • 企业类型:生产型 贸易型
          • 地区:辽宁
          • 电话:8604152188181

            手机:13904956321

          电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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